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Supporto bipolare SOT-23 della superficie del transistor BC847A BC847C 45V 100mA di BC847B Bjt Npn Pnp

Supporto bipolare SOT-23 della superficie del transistor BC847A BC847C 45V 100mA di BC847B Bjt Npn Pnp

BC847B Bipolar Bjt Npn Pnp Transistor BC847A BC847C 45V 100mA Surface Mount SOT-23
BC847B Bipolar Bjt Npn Pnp Transistor BC847A BC847C 45V 100mA Surface Mount SOT-23 BC847B Bipolar Bjt Npn Pnp Transistor BC847A BC847C 45V 100mA Surface Mount SOT-23

Grande immagine :  Supporto bipolare SOT-23 della superficie del transistor BC847A BC847C 45V 100mA di BC847B Bjt Npn Pnp Miglior prezzo

Dettagli:
Luogo di origine: La Malesia/CINA
Marca: NXP/LRC/Thinkchip
Numero di modello: BC847B
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 100PZ
Prezzo: negotiable
Imballaggi particolari: Il nastro & la bobina (TR)/hanno tagliato il nastro (CT)
Tempi di consegna: 1-2 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T, Western Union, paypal, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 9.900.000 pc/settimanali
Descrizione di prodotto dettagliata
Corrente: 100mA nome: Transistor di giunzione bipolare di NPN
Saturazione di Vce: 600mV @ 5mA, 100mA Tensione: 45V
Massimo elettrico: 250mW Frequenza - transizione: 100MHz
Evidenziare:

transistor del npn dello smd

,

transistor di potenza del npn del silicio

 

Supporto bipolare SOT-23-3 della superficie del transistor NPN 45V 100mA 100MHz 250mW di BC847B (BJT)

 

Descrizione bipolare del transistor (BJT)

 

Ci sono due tipi di BJT: npn e pnp. Il tipo del npn consiste di due n-regioni separate da una p-regione. Il tipo del pnp consiste di due p-regioni separate da una regione n. Il transistor di giunzione bipolare (BJT) è un dispositivo a semiconduttore costruito con tre regioni semiconduttore drogato (base, collettore ed emettitore) separate da due giunzioni di PN. La giunzione di PN fra la base e l'emettitore ha una tensione (V0) della barriera di circa 0,6 V, che è un parametro importante di un BJT. A differenza del transistor di effetto di campo (FET), in cui la corrente è prodotta soltanto da un tipo di portatore di carica (elettroni o fori), in BJT, corrente è prodotto da entrambi i tipi di portatori di carica (elettroni e fori), quindi dal nome bipolare.

 

 

Specificazione di BC847B

 

Produttore NXP/LRC/ThinkChip
Serie -
Imballaggio  Tagli il nastro (CT) 
Parte lo stato Obsoleto
Tipo del transistor NPN
Corrente - collettore (CI) (massimo) 100mA
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 45V
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI 600mV @ 5mA, 100mA
Corrente - taglio del collettore (massimo) 15nA (ICBO)
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce 200 @ 2mA, 5V
Massimo elettrico 250mW
Frequenza - transizione 100MHz
Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tipo del montaggio Supporto di superficie
Pacchetto/caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT-23-3
Numero del pezzo basso BC847B

 

 

Servizio

 

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Dettagli di contatto
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