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Certificazione
Transistor di potenza LDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A del MOSFET di NE5550979A
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Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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Descrizione di prodotto dettagliata
| Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,transistor del mosfet dello smd |
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|---|---|---|---|
 Produttore |
RENESAS |
| Numero del pezzo di produttore | NE5550979A-T1-A |
| Descrizione | FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG |
| Descrizione dettagliata | Mosfet LDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A di rf |
| Schede | NE5550979A |
| Attributi di prodotto | |
| Categorie | Prodotti a semiconduttori discreti |
| Transistor - FETs, MOSFETs - rf | |
| Produttore | Cel |
| Serie | - |
| Imballaggio | Nastro & bobina (TR) |
| Stato della parte | Obsoleto |
| Tipo del transistor | LDMOS |
| Frequenza | 900MHz |
| Guadagno | 22dB |
| Tensione - prova | 7.5V |
| Valutazione corrente (amp) | 3A |
| Figura di rumore | - |
| Corrente - prova | 200mA |
| Uscita elettrica | 38.6dBm |
| Tensione - stimata | 30V |
| Pacchetto/caso | 79A |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | 79A |
| Numero del pezzo basso | NE5550 |
| Classificazioni dell'esportazione & ambientali | |
| Stato senza piombo/stato di RoHS | Senza piombo/ROHS3 compiacente |
| Livello (MSL) di sensibilità di umidità | 1 (illimitato) |
| Imballaggio di serie | 1.000 |
Dettagli di contatto
G-Resource Electronics Co.,Ltd
Persona di contatto: Jenny
Telefono: 86-15818536604
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